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随着空气洁净度要求的提高，工艺对温湿度的要求也越来越严，那么洁净室内温

室度过高或者过低，有什么影响呢？

加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求就越来越小。例如在大规模集成电

路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。

下面就以这个例子来说：

直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度

的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕

钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。

相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会

引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。

此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表

面难以清除。相对湿度越高，粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，

又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。

最终，结论是对于硅片生产最佳湿度范围为35—45%